与前几代运用FinFET的芯片不同，三星运用的GAA（Gate All Around）晶体管架构，该架构大大改进了功率功率。三星半导体官方微博表明，“相较三星5纳米（nm）而言，优化的3纳米（nm）工艺，功能进步23%，功耗下降45%，芯片面积削减16%”。

  据介绍，3nm GAA技能选用了更宽通的纳米片，与选用窄通道纳米线的GAA?技能比较能供给更高的功能和能耗比。3nm GAA技能上，三星可以调整纳米晶体管的通道宽度，优化功耗和功能，然后可以很好的满意客户的多元需求。

  此外，GAA的规划灵活性对规划技能协同优化（DTCO)十分有利，有助于完成更好的PPA 优势。与三星5nm工艺比较，第一代3nm工艺可以使功耗下降45%，功能提高23%，芯片面积削减16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗下降50%，功能提高30%，芯片面积削减35%。