中国继“量子芯片”量产后，在氮化镓芯片技术上又一个重大突破。目前，中国氮化镓芯片制造技术已全面打破美日垄断，跻身全球第三。

  中国继“量子芯片”量产后，在氮化镓芯片技术上又一个重大突破。目前，中国氮化镓芯片制造技术已全面打破美日垄断，跻身全球第三。2020年9月，全球最大氮化镓芯片工厂在苏州建成投产。2022年2月，中科46 所成功制备出我国首颗 6 英寸氧化镓芯片，达到国际最高水平。目前，国内的快速充电器普遍用上了氮化镓芯片。

  src=http://www.laserfair.com/news/202304/19/

  2147483647&quality=80&type=jpg/>

  2147483647&quality=80&type=jpg/

  氮化镓被称作第三代半导体，是当今世界上最具潜力的半导体材料之一，并被预言将会在不久的未来改变世界。

  ★2005年12月，德国半导体公司Infineon生产出世界上第一颗氮化镓芯片。

  ★2008年8月，美国科锐公司（Cree）生产出世界上第一个商业化的氮化镓芯片。

  ★2017年11月，英诺赛科(珠海)科技有限公司自主研发的中国首条8英寸硅基氮化镓生产线月，中国首条氮化镓激光器芯片生产线在广西投产。

  该氮化镓激光器目前覆盖近紫外（375 nm）至绿光（532 nm）的波长范围，相比于传统半导体激光器，氮化镓激光器具有光谱范围广、热调制频率高、稳定性高等优势，在照明、显示、金属加工、国防、航天航空、量子通信等领域有广泛用途。

  该技术来自北京大学研发团队20多年的刻苦攻关，在数十项国家级和省部级科研项目的全力支持下，攻克了氮化镓半导体激光器相关的主要科学和技术问题，建立了芯片制备技术中的8大核心工艺，打破国外企业长期的技术垄断，有力实现“弯道超车”。

  2021年，发展第三代半导体写入国家“十四五”规划、列为国家战略，作为第三代半导体中最有代表性的氮化镓材料，被广泛地应用于激光显示、电动汽车、5G通讯、航空航天、雷达等重要领域。

  目前，全球氮化镓芯片生产大多分布在在中国、美国、日本、韩国、德国等国。其中，中国的氮化镓芯片生产企业快速崛起，在全球市场上份量越来越重。

  目前，全球氮化镓半导体芯片专利申请的第一大技术来源国是日本，占比高达33.22%。其次是中国，占比为28.10%。美国专利申请量排名第三，占比为20.63%。

  中国在2013—2021年期间长期处在氮化镓专利申请数量的领头羊，且优势较为明显。

  第一名：日本住友，市场占有率超过40%；第二名：美国Cree，市场占有率15%；第三名：德国英飞凌，市场占有率10%；第四名：韩国LG，市场占有率6%；第五名：三星，市场占有率为4%。中国领先的有：华润微、三安光电、士兰微和闻泰科技等。

  单晶硅芯片是目前最成熟、最广泛应用的芯片之一，具有低功耗、高稳定性和低成本等优势。

  氮化镓芯片则因其高频率、高效率和高功率密度等优点而非常关注，尤其在快充、射频功率放大、太阳能电池板等领域存在广泛的应用前景。

  因此，氮化镓芯片和单晶硅芯片都有各自的优势和应用场景，并不会互相取代。在未来的发展中，两者有望相互补充，一同推动半导体芯片技术的发展。

  ① 凡本网未注明其他出处的作品，版权均属于激光制造网，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。获本网授权使用作品的，应在授权范围内使 用，并标注明确来源:激光制造网”。违反上述声明者，本网将追究其相关责任。

  ② 凡本网注明其他来源的作品及图片，均转载自其它媒体，转载目的是传递更加多信息，并不代表本媒赞同其观点和对其真实性负责，版权属于原本的作者所有，如有侵权请联系我们删除。

  ③ 任何单位或个人觉得本网内容可能涉嫌侵犯其合法权益，请及时向本网提出书面权利通知，并提供身份证明、权属证明、具体链接(URL)及详细侵权情况证明。本网在收到上述法律文件后，将会依法尽快移除相关涉嫌侵权的内容。