根据美国《旧金山纪事报》（San Francisco Chronicle）宣布的

  ，半导体工业“一代宗师”、半导体界大师级教授施敏（Simon Sze）在美国当地时间6 日谢世，享寿87 岁。

  施敏（Simon Sze），生于1936年，是一位享有盛誉的半导体物理学家和工程师，被广泛认为是半导体器材范畴的大师级人物。他在半导体器材技能、器材物理和微电子范畴的奉献被广泛认可，而且他的著作和教育活动对半导体工业和研讨产生了深远影响。

  施敏对科学充满热情，1957 年结业于台大电机工程系，之后至美国留学，1960 年在华盛顿大学取得硕士学位。施敏也与张忠谋师及不久前过世的华泰电子兴办人杜俊元师出同门出同门，同为美国斯坦福大学电机博士，三人博士班都是同一指导教授John Moll。结业后，随即进入美国闻名研制重镇

  制作了国际上第一个浮栅非挥发性存储器元件（Floating-gate memory effect），也便是如今运用快速生长的Nand

  ，是各项消费性科学技能产品所运用的要害零件之一，是半导体技能的重大突破之一。

  施敏的开创性的作业触及广泛范畴，包含MOSFET 技能开发、半导体设备物理与半导体设备可靠性。他所编撰的《半导体元件物理学》，更是该范畴的重要参考书，已发行超越300 万册，教育了一代代的工程师和科学家。

  他出色职业生涯包含在贝尔实验室和交大担任重要职位，1968 年施敏回台湾地区于交大担任董浩云讲座教授一年，并兴办台湾地区第一家半导体公司「环宇电子」。自贝尔实验室退休后，1990 年开始于交大电子工程系任教，2010 年获赠交大终身讲座教授，他也取得

  荣誉讲座教授，也是中央研讨院院士、美国国家工程院院士以及中国工程院外籍院士的三院院士。

  施敏因出色的教育和研讨而取得许多奖项，包含2021 年的未来科学奖和1991 年的IEEE EDS JJ Ebers 奖，赞誉他对该范畴的终身奉献，而他的特殊终身以及对电子、半导体国际的奉献将被铭记和爱惜。

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